IRF100P218XKMA1
工場モデル | IRF100P218XKMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC |
パッケージ | TO-247AC |
株式 | 5936 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering SystemMult Dev EOL 11/Jan/2021Mult Dev EOL Corr 11/Jan/2021Mult Dev EOL Update 8/Apr/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 3.8V @ 278µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC |
シリーズ | StrongIRFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.28mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 556W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 25000 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 555 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 209A (Tc) |
基本製品番号 | IRF100 |
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