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IRF100P218XKMA1 Image
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IRF100P218XKMA1

工場モデル IRF100P218XKMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
パッケージ TO-247AC
株式 5936 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering SystemMult Dev EOL 11/Jan/2021Mult Dev EOL Corr 11/Jan/2021Mult Dev EOL Update 8/Apr/2021
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5936のInfineon Technologies IRF100P218XKMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.8V @ 278µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
シリーズ StrongIRFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.28mOhm @ 100A, 10V
電力消費(最大) 556W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 25000 pF @ 50 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 555 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 209A (Tc)
基本製品番号 IRF100

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IRF100P218XKMA1 データテーブルPDF

データシート