IRF100B202
| 工場モデル | IRF100B202 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB |
| パッケージ | TO-220AB |
| 株式 | 144062 pcs |
| データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016IR Part Numbering SystemMult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019Tube Label Chgs 20/May/2020Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.633 | $0.57 | $0.458 | $0.376 | $0.312 | $0.29 | $0.28 | $0.272 |
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.6mOhm @ 58A, 10V |
| 電力消費（最大） | 221W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4476 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 116 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 97A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRF100 |
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