IRF1010ESTRLPBF
工場モデル | IRF1010ESTRLPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
パッケージ | D2PAK |
株式 | 61662 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Material Chg 24/Nov/2015Mult Dev A/T Site 26/Feb/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$0.839 | $0.752 | $0.604 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 200W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3210 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 130 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 84A (Tc) |
基本製品番号 | IRF1010 |
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