IRF100B201
| 工場モデル | IRF100B201 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB |
| パッケージ | TO-220AB |
| 株式 | 75230 pcs |
| データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering SystemTube Label Chgs 20/May/2020Wafer Test Site Chg 7/Mar/2017 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.201 | $1.078 | $0.866 | $0.712 | $0.59 | $0.549 | $0.529 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 115A, 10V |
| 電力消費（最大） | 441W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9500 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 255 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 192A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRF100 |
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