Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPI045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPI045N10N3GXKSA1

工場モデル IPI045N10N3GXKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
パッケージ PG-TO262-3
株式 48234 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Subcontact Chg 21/Dec/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.532 $1.378 $1.129 $0.961 $0.81 $0.77 $0.741
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。48234のInfineon Technologies IPI045N10N3GXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 150µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.5mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） 214W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8410 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 117 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A (Tc)
基本製品番号 IPI045

おすすめ商品

IPI045N10N3GXKSA1 データテーブルPDF

データシート

IPI045N10N3GXKSA1に関連した語彙

IPI045N10N3GXKSA1関連コンポーネント