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Infineon Technologies

IPI086N10N3GXKSA1

工場モデル IPI086N10N3GXKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
パッケージ PG-TO262-3
株式 141726 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Subcontact Chg 21/Dec/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.641 $0.574 $0.462 $0.379 $0.314 $0.293 $0.282 $0.275
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。141726のInfineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 75µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.6mOhm @ 73A, 10V
電力消費（最大） 125W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3980 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 55 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 IPI086

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データシート

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