IPI020N06NAKSA1
工場モデル | IPI020N06NAKSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262 |
パッケージ | PG-TO262-3-1 |
株式 | 4735 pcs |
データシート | IPI020N06NPart Number GuideMult Devices EOL 08/May/2019Wafer Diameter Add 7/Apr/2017 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.8V @ 143µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7800 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 106 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 29A (Ta), 120A (Tc) |
基本製品番号 | IPI02N |
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