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Infineon Technologies

IPI03N03LA

工場モデル IPI03N03LA
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
パッケージ PG-TO262-3
株式 5745 pcs
データシート IPI,IPP03N03LAPart Number GuideMultiple Devices 04/Jun/2009CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5745のInfineon Technologies IPI03N03LAの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 100µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3mOhm @ 55A, 10V
電力消費(最大) 150W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 7027 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 57 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 25 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)
基本製品番号 IPI03N

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IPI03N03LA データテーブルPDF

データシート