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Infineon Technologies

IPI029N06NAKSA1

工場モデル IPI029N06NAKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
パッケージ PG-TO262-3
株式 97732 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Wafer Site Add 1/Aug/2019
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.951 $0.853 $0.686 $0.563 $0.467 $0.435 $0.419 $0.408
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。97732のInfineon Technologies IPI029N06NAKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.8V @ 75µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.9mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） 3W (Ta), 136W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4100 pF @ 30 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 56 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 24A (Ta), 100A (Tc)
基本製品番号 IPI029

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データシート

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