Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPI076N15N5AKSA1
Infineon Technologies

IPI076N15N5AKSA1

工場モデル IPI076N15N5AKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MV POWER MOS
パッケージ PG-TO262-3
株式 38770 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Wafer Chgs 7/Mar/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$2.017 $1.813 $1.485 $1.264 $1.066 $1.013
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。38770のInfineon Technologies IPI076N15N5AKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.6V @ 160µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 7.6mOhm @ 56A, 10V
電力消費（最大） 214W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4700 pF @ 75 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 61 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 8V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 112A (Tc)
基本製品番号 IPI076

おすすめ商品

IPI076N15N5AKSA1 データテーブルPDF

データシート

IPI076N15N5AKSA1に関連した語彙

IPI076N15N5AKSA1関連コンポーネント