NVBGS4D1N15MC
工場モデル | NVBGS4D1N15MC |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK |
パッケージ | D2PAK (TO-263) |
株式 | 7698 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021Mult Dev EOL 30/Mar/2023NVBGS4D1N15MC |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 25 | 100 | 250 |
---|---|---|---|---|
$7.041 | $6.471 | $6.202 | $5.197 | $4.861 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 574µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.1mOhm @ 104A, 10V |
電力消費(最大) | 3.7W (Ta), 316W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7285 pF @ 75 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 88.9 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 8V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta), 185A (Tc) |
基本製品番号 | NVBGS4 |
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