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onsemi

NVBG020N090SC1

工場モデル NVBG020N090SC1
メーカー onsemi
詳細な説明 SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
パッケージ D2PAK-7
株式 3018 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSPACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021NTBG0x/NVBG0x 14/Dec/2022Datasheet Correction 04/May/2021NVBG020N090SC1
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$19.274 $17.982 $15.613
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3018のonsemi NVBG020N090SC1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.3V @ 20mA
Vgs（最大） +19V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK-7
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 28mOhm @ 60A, 15V
電力消費（最大） 3.7W (Ta), 477W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4415 pF @ 450 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 200 nC @ 15 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 900 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.8A (Ta), 112A (Tc)
基本製品番号 NVBG020

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データシート

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