NVBG095N065SC1
| 工場モデル | NVBG095N065SC1 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | SIC MOS D2PAK-7L 650V |
| パッケージ | D2PAK-7 |
| 株式 | 8036 pcs |
| データシート | NVBG095N065SC1 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 800 |
|---|
| $4.196 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.3V @ 4mA |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK-7 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 105mOhm @ 12A, 18V |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 956 pF @ 325 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 50 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V, 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| 基本製品番号 | NVBG095 |
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