Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NVB150N65S3F
NVB150N65S3F Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

NVB150N65S3F

工場モデル NVB150N65S3F
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
パッケージ D²PAK-3 (TO-263-3)
株式 36497 pcs
データシート onsemi RoHSPACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021Improve FAB Process 26/APR/2023NVB150N65S3F
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$1.579 $1.418 $1.162
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。36497のonsemi NVB150N65S3Fの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 540µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK-3 (TO-263-3)
シリーズ Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 150mOhm @ 12A, 10V
電力消費（最大） 192W
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1999 pF @ 400 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 43 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 24A (Tc)
基本製品番号 NVB150

おすすめ商品

NVB150N65S3F データテーブルPDF

データシート

NVB150N65S3Fに関連した語彙

NVB150N65S3F関連コンポーネント