Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NVB25P06T4G
NVB25P06T4G Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

NVB25P06T4G

工場モデル NVB25P06T4G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
パッケージ D²PAK
株式 4636 pcs
データシート 1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018Mult Dev EOL 20/Dec/2021onsemi REACHonsemi RoHSNTB25P06Cancellation 13/Aug/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4636のonsemi NVB25P06T4Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±15V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 82mOhm @ 25A, 10V
電力消費（最大） 120W (Tj)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1680 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 50 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 27.5A (Ta)
基本製品番号 NVB25P

おすすめ商品

NVB25P06T4G データテーブルPDF

データシート

NVB25P06T4Gに関連した語彙

NVB25P06T4G関連コンポーネント