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NVB190N65S3F Image
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NVB190N65S3F

工場モデル NVB190N65S3F
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
パッケージ D²PAK-3 (TO-263-3)
株式 34481 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSPACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021Improve FAB Process 26/APR/2023NVB190N65S3F
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$1.492 $1.339 $1.097
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。34481のonsemi NVB190N65S3Fの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 430µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK-3 (TO-263-3)
シリーズ Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 190mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 162W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1605 pF @ 400 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 34 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Tc)
基本製品番号 NVB190

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データシート

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