FDD86369
工場モデル | FDD86369 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 80V 90A DPAK |
パッケージ | D-PAK (TO-252) |
株式 | 124375 pcs |
データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 28/May/2023FDD86369 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.605 | $0.545 | $0.438 | $0.36 | $0.298 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.9mOhm @ 80A, 10V |
電力消費(最大) | 150W (Tj) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2530 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 54 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 90A (Tc) |
基本製品番号 | FDD863 |
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