FDD86102LZ
工場モデル | FDD86102LZ |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK |
パッケージ | TO-252AA |
株式 | 137227 pcs |
データシート | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 28/May/2023FDD86102LZ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.609 | $0.548 | $0.441 | $0.362 | $0.3 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 22.5mOhm @ 8A, 10V |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 54W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1540 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Ta), 35A (Tc) |
基本製品番号 | FDD86102 |
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