FDD86113LZ
| 工場モデル | FDD86113LZ |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK |
| パッケージ | TO-252AA |
| 株式 | 171773 pcs |
| データシート | Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSAssembly Change 28/May/2023FDD86113LZ |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.537 | $0.479 | $0.373 | $0.308 | $0.244 |
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 104mOhm @ 4.2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 29W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 285 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDD86113 |
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