FDD86081-F085
工場モデル | FDD86081-F085 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 21A TO252-3 |
パッケージ | D-PAK (TO-252) |
株式 | 5714 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 36µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 31.5mOhm @ 6A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 31.3W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 493 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.7A (Ta), 21.4A (Tc) |
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