FDD8586
| 工場モデル | FDD8586 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA |
| パッケージ | TO-252AA |
| 株式 | 6057 pcs |
| データシート | FDD8586, FDU8586onsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5mOhm @ 35A, 10V |
| 電力消費（最大） | 77W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2480 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDD858 |
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