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FDD850N10LD Image
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FDD850N10LD

工場モデル FDD850N10LD
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
パッケージ TO-252 (DPAK)
株式 4682 pcs
データシート Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Devices 31/Jan/2019onsemi REACHonsemi RoHSFDD850N10LD
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4682のonsemi FDD850N10LDの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252 (DPAK)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 75mOhm @ 12A, 10V
電力消費(最大) 42W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1465 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 28.9 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 15.3A (Tc)
基本製品番号 FDD850

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データシート