FDD850N10LD
工場モデル | FDD850N10LD |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L |
パッケージ | TO-252 (DPAK) |
株式 | 4682 pcs |
データシート | Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Devices 31/Jan/2019onsemi REACHonsemi RoHSFDD850N10LD |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (DPAK) |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 75mOhm @ 12A, 10V |
電力消費(最大) | 42W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1465 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 28.9 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15.3A (Tc) |
基本製品番号 | FDD850 |
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