SQSA80ENW-T1_GE3
工場モデル | SQSA80ENW-T1_GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8 |
パッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
株式 | 180583 pcs |
データシート | SQSA80ENW |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.427 | $0.38 | $0.297 | $0.245 | $0.193 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。180583のVishay Siliconix SQSA80ENW-T1_GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 21mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 62.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1358 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 21 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Tc) |
基本製品番号 | SQSA80 |
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