SQS840EN-T1_BE3
| 工場モデル | SQS840EN-T1_BE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
| パッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| 株式 | 209225 pcs |
| データシート | SQS840EN |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.39 | $0.344 | $0.264 | $0.208 | $0.167 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 7.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 33W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1031 pF @ 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22.5 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
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