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Vishay Siliconix

SQS411ENW-T1_GE3

工場モデル SQS411ENW-T1_GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
パッケージ PowerPAK® 1212-8W
株式 217767 pcs
データシート SQS411ENWSQS411ENW 16/Mar/2022SQS411ENW-T1_GE3 26/Apr/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.352 $0.311 $0.238 $0.188 $0.151
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。217767のVishay Siliconix SQS411ENW-T1_GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8W
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 27.3mOhm @ 8A, 10V
電力消費（最大） 39.5W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8W
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3191 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 50 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 16A (Tc)
基本製品番号 SQS411

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データシート

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