SQS966ENW-T1_GE3
| 工場モデル | SQS966ENW-T1_GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CHAN 60V |
| パッケージ | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| 株式 | 229147 pcs |
| データシート | SQS966ENW |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.401 | $0.36 | $0.281 | $0.232 | $0.183 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。229147のVishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 1.25A, 10V |
| 電力 - 最大 | 27.8W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 572pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SQS966 |
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