SQS484CENW-T1_GE3
| 工場モデル | SQS484CENW-T1_GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W |
| パッケージ | PowerPAK® 1212-8W |
| 株式 | 246789 pcs |
| データシート | SQS484CENW |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.314 | $0.276 | $0.211 | $0.167 | $0.134 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8W |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 62.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8W |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) |
| 基本製品番号 | SQS484 |
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