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Vishay Siliconix

SIHB12N60E-GE3

工場モデル SIHB12N60E-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 113616 pcs
データシート Additional Assembly Site 21/Oct/2016SIHB12N60E
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.762 $0.683 $0.549 $0.451 $0.374 $0.348 $0.335 $0.327
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。113616のVishay Siliconix SIHB12N60E-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 380mOhm @ 6A, 10V
電力消費（最大） 147W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Bulk
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 937 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 58 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Tc)
基本製品番号 SIHB12

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データシート

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