SIHB12N50C-E3
| 工場モデル | SIHB12N50C-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK |
| パッケージ | D²PAK (TO-263) |
| 株式 | 31972 pcs |
| データシート | Additional Assembly Site 21/Oct/2016SIH(P,B,F)12N50C-E3 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1000 | 2000 |
|---|---|
| $1.12 | $1.064 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 555mOhm @ 4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 208W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1375 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIHB12 |
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