SIHA6N65E-GE3
工場モデル | SIHA6N65E-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | N-CHANNEL 650V |
パッケージ | TO-220 Full Pack |
株式 | 89166 pcs |
データシート | SIHA6N65E |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.721 | $0.649 | $0.521 | $0.428 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。89166のVishay Siliconix SIHA6N65E-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 Full Pack |
シリーズ | E |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 600mOhm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 31W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1640 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 48 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7A (Tc) |
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