SIHB16N50C-E3
工場モデル | SIHB16N50C-E3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK |
パッケージ | D²PAK (TO-263) |
株式 | 29696 pcs |
データシート | SIH(P,B,F)16N50CSIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$2.559 | $2.297 | $1.882 | $1.602 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。29696のVishay Siliconix SIHB16N50C-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 380mOhm @ 8A, 10V |
電力消費(最大) | 250W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1900 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 68 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) |
基本製品番号 | SIHB16 |
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