SIHA5N80AE-GE3
工場モデル | SIHA5N80AE-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD |
パッケージ | TO-220 Full Pack |
株式 | 193606 pcs |
データシート | SIHA5N80AE |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.5 | $0.448 | $0.349 | $0.288 | $0.228 | $0.212 | $0.202 | $0.194 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 Full Pack |
シリーズ | E |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.35Ohm @ 1.5A, 10V |
電力消費(最大) | 29W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 321 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3A (Tc) |
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