SIHA24N80AE-GE3
工場モデル | SIHA24N80AE-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 9A TO220 |
パッケージ | TO-220 Full Pack |
株式 | 67371 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
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$1.304 | $1.17 | $0.958 | $0.816 | $0.688 | $0.654 | $0.629 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 Full Pack |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 184mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 35W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1836 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 89 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Tc) |
基本製品番号 | SIHA24 |
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