IRLHS6276TR2PBF
| 工場モデル | IRLHS6276TR2PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN |
| パッケージ | 6-PQFN Dual (2x2) |
| 株式 | 4916 pcs |
| データシート | Part Number GuideMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 10µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-PQFN Dual (2x2) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 1.5W |
| パッケージ/ケース | 6-PowerVDFN |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 310pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IRLHS6276 |
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