IRLHM620TR2PBF
| 工場モデル | IRLHM620TR2PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| パッケージ | PQFN (3x3) |
| 株式 | 5254 pcs |
| データシート | Part Number GuideMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5254のInfineon Technologies IRLHM620TR2PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 50µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (3x3) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5mOhm @ 20A, 4.5V |
| パッケージ/ケース | 8-VQFN Exposed Pad |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3620 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 78 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Ta), 40A (Tc) |
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