APTM100U13SG
| 工場モデル | APTM100U13SG |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 65A MODULE |
| パッケージ | Module |
| 株式 | 6748 pcs |
| データシート | APTM100U13SMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 10mA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 145mOhm @ 32.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1250W (Tc) |
| パッケージ/ケース | J3 Module |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 31600 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2000 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) |
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