APTM100H35FT3G
工場モデル | APTM100H35FT3G |
---|---|
メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 |
パッケージ | SP3 |
株式 | 785 pcs |
データシート | Assembly Site 17/Jan/2023Integration 13/May/2020Power Products CatalogMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSSP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
8 | 100 |
---|---|
$66.452 | $50.504 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 2.5mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SP3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 420mOhm @ 11A, 10V |
電力 - 最大 | 390W |
パッケージ/ケース | SP3 |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5200pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 186nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V (1kV) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A |
コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | APTM100 |
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