APTM10DHM09T3G
| 工場モデル | APTM10DHM09T3G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 |
| パッケージ | SP3 |
| 株式 | 4150 pcs |
| データシート | Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrosemi Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4150のMicrosemi Corporation APTM10DHM09T3Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2.5mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP3 |
| シリーズ | POWER MOS V® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
| 電力 - 最大 | 390W |
| パッケージ/ケース | SP3 |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9875pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 350nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 139A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 基本製品番号 | APTM10 |
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