APTM100H80FT1G
| 工場モデル | APTM100H80FT1G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| パッケージ | SP1 |
| 株式 | 6873 pcs |
| データシート | APTM100H80FT1GPower Products CatalogMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 960mOhm @ 9A, 10V |
| 電力 - 最大 | 208W |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3876pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 150nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000V (1kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | APTM100 |
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