APTM100DA18CT1G
| 工場モデル | APTM100DA18CT1G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| パッケージ | SP1 |
| 株式 | 4457 pcs |
| データシート | Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| シリーズ | POWER MOS 8™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 216mOhm @ 33A, 10V |
| 電力消費（最大） | 657W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14800 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 570 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) |
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