FDB3502
工場モデル | FDB3502 |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
パッケージ | D2PAK (TO-263) |
株式 | 4641 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4641のFairchild Semiconductor FDB3502の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 47mOhm @ 6A, 10V |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 41W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 815 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 75 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Ta), 14A (Tc) |
おすすめ商品
-
FDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAKonsemi -
FDB3502
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263ABonsemi -
FDB3652SB82059
1-ELEMENT, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
FDB33N25TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDB3632-F085
MOSFET N-CH 100V 12A TO263ABonsemi -
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAKonsemi -
FDB3652-F085
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 10onsemi -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB3672
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263onsemi -
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi -
FDB2614
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAKonsemi -
FDB2614
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB3672
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB3632
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB2710
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAKonsemi -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABonsemi -
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAKonsemi -
FDB28N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB3632_SB82115
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi