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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > FDB38N30U
FDB38N30U Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

FDB38N30U

工場モデル FDB38N30U
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 39217 pcs
データシート Postponed Qualification 27/Dec/2022Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023FDB38N30U
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$1.35 $1.213 $0.994
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。39217のonsemi FDB38N30Uの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ UniFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 120mOhm @ 19A, 10V
電力消費（最大） 313W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3340 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 73 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 300 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 38A (Tc)
基本製品番号 FDB38N30

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データシート

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