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FDB3860

工場モデル FDB3860
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 4648 pcs
データシート Multiple Devices 27/Feb/2012onsemi REACHonsemi RoHSFDB3860
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4648のonsemi FDB3860の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 37mOhm @ 5.9A, 10V
電力消費（最大） 3.1W (Ta), 71W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1740 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 30 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6.4A (Ta), 30A (Tc)
基本製品番号 FDB386

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