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FDB3652

工場モデル FDB3652
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 63448 pcs
データシート FDB3652, FDP3652Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100
$0.803 $0.722 $0.58
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。63448のonsemi FDB3652の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 16mOhm @ 61A, 10V
電力消費(最大) 150W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2880 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 53 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Ta), 61A (Tc)
基本製品番号 FDB365

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FDB3652 データテーブルPDF

データシート