FDB42AN15A0
工場モデル | FDB42AN15A0 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB |
パッケージ | D²PAK (TO-263) |
株式 | 6018 pcs |
データシート | FDB42AN15A0, FDP42AN15A0Multiple Devices 14/Mar/2011onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 42mOhm @ 12A, 10V |
電力消費(最大) | 150W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2150 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 39 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Ta), 35A (Tc) |
基本製品番号 | FDB42 |
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