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SI5429DU-T1-GE3

工場モデル SI5429DU-T1-GE3
メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
パッケージ PowerPAK® ChipFet Dual
株式 4293 pcs
データシート Si5429DU
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのElectro-Films (EFI) / Vishayシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4293のElectro-Films (EFI) / Vishay SI5429DU-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® ChipFet Dual
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 15 mOhm @ 7A, 10V
電力消費（最大） 3.1W (Ta), 31W (Tc)
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース PowerPAK® ChipFET™ Dual
他の名前 SI5429DU-T1-GE3DKR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2320pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 63nC @ 10V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
詳細な説明 P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Tc)

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データシート

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