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Vishay Siliconix

SI5457DC-T1-GE3

工場モデル SI5457DC-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
パッケージ 1206-8 ChipFET™
株式 593221 pcs
データシート Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023Epoxy Materials 07/Jan/2022SI5457DC
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.201 $0.174 $0.13 $0.102 $0.079
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。593221のVishay Siliconix SI5457DC-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.4V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
電力消費（最大） 5.7W (Tc)
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1000 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 38 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Tc)
基本製品番号 SI5457

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データシート

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