SI5402DC-T1-GE3
| 工場モデル | SI5402DC-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| パッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| 株式 | 3900 pcs |
| データシート | PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013Material ComplianceSI5402DC |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 4.9A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.9A (Ta) |
| 基本製品番号 | SI5402 |
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