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Vishay Siliconix

SI5406CDC-T1-GE3

工場モデル SI5406CDC-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
パッケージ 1206-8 ChipFET™
株式 6796 pcs
データシート Material ComplianceMult Mosfet EOL 30/Aug/2018SI5406CDC
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6796のVishay Siliconix SI5406CDC-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
電力消費（最大） 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1100 pF @ 6 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 32 nC @ 8 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 12 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Tc)
基本製品番号 SI5406

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データシート

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