SI5401DC-T1-GE3
工場モデル | SI5401DC-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 |
パッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
株式 | 3831 pcs |
データシート | Material ComplianceSI5401DC |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 32mOhm @ 5.2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.3W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.2A (Ta) |
基本製品番号 | SI5401 |
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